HJT 2.0-TechnologieDurch die Kombination von Getterverfahren und einseitiger UC-Si-Technologie wird eine höhere Zelleffizienz und eine höhere Modulleistung gewährleistet.-0,26 % C Pmax-TemperaturkoeffizientStabilere Stromerzeugungsleistung und noch besseres Warmklima.SMBB-Design mit Half-Cut-TechnologieKürzere Stromübertragungsentfernung, weniger Widerstandsverluste und höhere Zelleffizienz.Bis zu 90 % BifazialitätNatürliche symmetrische bifaziale Struktur für mehr Energieausbeute von der Rückseite.Versiegelung mit Dichtstoff auf PIB-BasisHöhere Wasserbeständigkeit und größere Luftundurchlässigkeit verlängern die Lebensdauer des Moduls.

HJT 2.0 TechnologieDurch die Kombination von Getterverfahren und einseitiger UC-Si-Technologie wird eine höhere Zelleffizienz und eine höhere Modulleistung gewährleistet.-0,26 % C Pmax-TemperaturkoeffizientStabilere Stromerzeugungsleistung und noch besseres Warmklima.SMBB-Design mit Half-Cut-TechnologieKürzere Stromübertragungsentfernung, weniger Widerstandsverlust und höhere Zelleffizienz.Bis zu 90 % BifazialitätNatürliche symmetrische bifaziale Struktur für mehr Energieausbeute von der Rückseite.Abdichtung mit Dichtstoff auf PIB-BasisHöhere Wasserbeständigkeit und größere Luftundurchlässigkeit verlängern die Lebensdauer des Moduls.

Multi-Busbar-TechnologieBesserer Lichteinfang und aktuelle Sammlung Verbessern Sie die Leistungsabgabe und Zuverlässigkeit des ModulsReduzierter Hot-Spot-VerlustOptimiertes elektrisches Design und niedriger Betriebsstrom für reduzierten Hot-Spot-Verlust und besseren TemperaturkoeffizientenHaltbarkeit gegen Extreme Umweltbedingungen Hohe Salznebel- und AmmoniakbeständigkeitErhöhte mechanische Belastung Zertifiziert für: Windlast (2400 Pascel) und Schneelast (5400 Pascal). 

Positive Leistungstoleranz (0-+5W) garantiert Hohe Modulumwandlungseffizienz (bis zu 22,53 %) Langsamerer Leistungsabfall ermöglicht durch Low-LID-Technologie: erstes Jahr <1 %, 0,40 % Jahr 2–30 Solide PlD-Beständigkeit durch Optimierung des Solarzellenprozesses und sorgfältige Auswahl der Modulstücklisten Reduzierter Widerstandsverlust mit geringerem Betriebsstrom Höhere Energieausbeute mit niedrigerer Betriebstemperatur Reduziertes Hotspot-Risiko mit optimiertem elektrischem Design und geringerem Betriebsstrom

Positive Leistungstoleranz (0-+5W) garantiert Hohe Modulumwandlungseffizienz (bis zu 22,53 %) Langsamerer Leistungsabfall ermöglicht durch Low-LID-Technologie: erstes Jahr <1 %, 0,40 % Jahr 2–30 Solide PlD-Beständigkeit durch Optimierung des Solarzellenprozesses und sorgfältige Auswahl der Modulstücklisten Reduzierter Widerstandsverlust mit geringerem Betriebsstrom Höhere Energieausbeute mit niedrigerer Betriebstemperatur Reduziertes Hotspot-Risiko mit optimiertem elektrischem Design und geringerem Betriebsstrom

Positive Leistungstoleranz (0-+5W) garantiert Hohe Modulumwandlungseffizienz (bis zu 23,04 %) Langsamerer Leistungsabfall ermöglicht durch Low-LID-Technologie: erstes Jahr <1 %, 0,40 % Jahr 2–30 Solide PlD-Beständigkeit durch Optimierung des Solarzellenprozesses und sorgfältige Auswahl der Modulstücklisten Reduzierter Widerstandsverlust mit geringerem Betriebsstrom Höhere Energieausbeute mit niedrigerer Betriebstemperatur Reduziertes Hotspot-Risiko mit optimiertem elektrischem Design und geringerem Betriebsstrom

Positive Leistungstoleranz (0-+5W) garantiertHohe Modulumwandlungseffizienz (bis zu 23,04 %)Langsamerer Leistungsabfall ermöglicht durch Low-LID-Technologie: erstes Jahr

Positive Leistungstoleranz (0-+5W) garantiert Hohe Modulumwandlungseffizienz (bis zu 22,82 %) Langsamerer Leistungsabfall ermöglicht durch Low-LID-Technologie: erstes Jahr <1 %, 0,40 % Jahr 2–30 Solide PlD-Beständigkeit durch Optimierung des Solarzellenprozesses und sorgfältige Auswahl der Modulstücklisten Reduzierter Widerstandsverlust mit geringerem Betriebsstrom Höhere Energieausbeute mit niedrigerer Betriebstemperatur Reduziertes Hotspot-Risiko mit optimiertem elektrischem Design und geringerem Betriebsstrom

HJT 2.0-Technologie Durch die Kombination von Getterverfahren und einseitiger UC-Si-Technologie wird eine höhere Zelleffizienz und eine höhere Modulleistung gewährleistet. -0,26 % C Pmax-Temperaturkoeffizient Stabilere Stromerzeugungsleistung und noch besseres Warmklima. SMBB-Design mit Half-Cut-Technologie Kürzere Stromübertragungsentfernung, weniger Widerstandsverluste und höhere Zelleffizienz. Bis zu 90 % Bifazialität Natürliche symmetrische bifaziale Struktur für mehr Energieausbeute von der Rückseite. Versiegelung mit Dichtstoff auf PIB-Basis Höhere Wasserbeständigkeit und größere Luftundurchlässigkeit verlängern die Lebensdauer des Moduls.

HJT 2.0-Technologie Durch die Kombination von Getterverfahren und einseitiger UC-Si-Technologie wird eine höhere Zelleffizienz und eine höhere Modulleistung gewährleistet. -0,26 % C Pmax-Temperaturkoeffizient Stabilere Stromerzeugungsleistung und noch besseres Warmklima. SMBB-Design mit Half-Cut-Technologie Kürzere Stromübertragungsentfernung, weniger Widerstandsverluste und höhere Zelleffizienz. Bis zu 90 % Bifazialität Natürliche symmetrische bifaziale Struktur für mehr Energieausbeute von der Rückseite. Versiegelung mit Dichtstoff auf PIB-Basis Höhere Wasserbeständigkeit und größere Luftundurchlässigkeit verlängern die Lebensdauer des Moduls.

HJT 2.0-Technologie Durch die Kombination von Getterprozess und einseitiger UC-Si-Technologie wird eine höhere Zelleffizienz und eine höhere Modulleistung gewährleistet. -0,26 % C Pmax-Temperaturkoeffizient Stabilere Stromerzeugungsleistung und noch besseres Warmklima. SMBB-Design mit Half-Cut-Technologie Kürzere Stromübertragungsentfernung, weniger Widerstandsverluste und höhere Zelleffizienz. Bis zu 90 % Bifazialität Natürliche symmetrische bifaziale Struktur für mehr Energieausbeute von der Rückseite. Versiegelung mit Dichtstoff auf PIB-Basis Stärkere Wasserbeständigkeit und größere Luftundurchlässigkeit verlängern die Lebensdauer des Moduls.