HJT 2.0 TechnologieDurch die Kombination von Getterverfahren und einseitiger UC-Si-Technologie wird eine höhere Zelleffizienz und eine höhere Modulleistung gewährleistet.-0,26 % C Pmax-TemperaturkoeffizientStabilere Stromerzeugungsleistung und noch besseres Warmklima.SMBB-Design mit Half-Cut-TechnologieKürzere Stromübertragungsentfernung, weniger Widerstandsverlust und höhere Zelleffizienz.Bis zu 90 % BifazialitätNatürliche symmetrische bifaziale Struktur für mehr Energieausbeute von der Rückseite.Abdichtung mit Dichtstoff auf PIB-BasisHöhere Wasserbeständigkeit und größere Luftundurchlässigkeit verlängern die Lebensdauer des Moduls.