HJT 2.0-Technologie Durch die Kombination von Getterprozess und einseitiger UC-Si-Technologie wird eine höhere Zelleffizienz und eine höhere Modulleistung gewährleistet. -0,26 % C Pmax-Temperaturkoeffizient Stabilere Stromerzeugungsleistung und noch besseres Warmklima. SMBB-Design mit Half-Cut-Technologie Kürzere Stromübertragungsentfernung, weniger Widerstandsverluste und höhere Zelleffizienz. Bis zu 90 % Bifazialität Natürliche symmetrische bifaziale Struktur für mehr Energieausbeute von der Rückseite. Versiegelung mit Dichtstoff auf PIB-Basis Stärkere Wasserbeständigkeit und größere Luftundurchlässigkeit verlängern die Lebensdauer des Moduls.