HJT 2.0-Technologie Durch die Kombination von Getterverfahren und einseitiger UC-Si-Technologie wird eine höhere Zelleffizienz und eine höhere Modulleistung gewährleistet. -0,26 % C Pmax-Temperaturkoeffizient Stabilere Stromerzeugungsleistung und noch besseres Warmklima. SMBB-Design mit Half-Cut-Technologie Kürzere Stromübertragungsentfernung, weniger Widerstandsverluste und höhere Zelleffizienz. Bis zu 90 % Bifazialität Natürliche symmetrische bifaziale Struktur für mehr Energieausbeute von der Rückseite. Versiegelung mit Dichtstoff auf PIB-Basis Höhere Wasserbeständigkeit und größere Luftundurchlässigkeit verlängern die Lebensdauer des Moduls.

Positive Leistungstoleranz (0-+5W) garantiert Hohe Modulumwandlungseffizienz (bis zu 22,82 %) Langsamerer Leistungsabfall ermöglicht durch Low-LID-Technologie: erstes Jahr <1 %, 0,40 % Jahr 2–30 Solide PlD-Beständigkeit durch Optimierung des Solarzellenprozesses und sorgfältige Auswahl der Modulstücklisten Reduzierter Widerstandsverlust mit geringerem Betriebsstrom Höhere Energieausbeute mit niedrigerer Betriebstemperatur Reduziertes Hotspot-Risiko mit optimiertem elektrischem Design und geringerem Betriebsstrom